Моделирование характеристик нормально закрытого AlGaN/GaN HEMT в пакете Sentaurus TCAD

Моделирование характеристик нормально закрытого AlGaN/GaN HEMT в пакете Sentaurus TCAD

Bibliographic Details
Published in:Физика твердого тела : сборник материалов XIX Российской студенческой конференции, посвященной 85-летию кафедры физики твердого тела физического факультета ТГУ (13-17 мая 2024 г.) С. 62-63
Main Author: Курчин, Константин Николаевич
Format: Book Chapter
Language:Russian
Subjects:
транзисторы с высокой подвижностью электронов
нитрид галлия
экспериментальное моделирование
статьи в сборниках
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145060
Перейти в каталог НБ ТГУ

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145060
Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items