Пропуск в контексте
  • Язык
    • English
    • Русский

Расширенный поиск
  • Поиск
  • Компьютерное моделирование нач...
  • Цитировать
  • Печать
  • Запись для экспорта
    • Экспорт в RefWorks
    • Экспорт в EndNoteWeb
    • Экспорт в EndNote
  • Permanent link
Компьютерное моделирование начальных стадий роста карбида кремния на кремнии из монометилсилана

Компьютерное моделирование начальных стадий роста карбида кремния на кремнии из монометилсилана

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Физика твердого тела : сборник материалов XIX Российской студенческой конференции, посвященной 85-летию кафедры физики твердого тела физического факультета ТГУ (13-17 мая 2024 г.) С. 85-86
Главный автор: Петраков, Владислав Александрович
Формат: Статья в сборнике
Язык:Russian
Предметы:
компьютерное моделирование
карбид кремния
монометилсилан
статьи в сборниках
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145064
  • Фонды
  • Описание
  • Похожие документы
  • Marc-запись

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145064

Похожие документы

  • Карбид кремния на кремнии (110): структура поверхности и механизмы эпитаксиального роста
  • Влияние содержания карбида кремния на уплотнение композитов TiB2 – SiC
    по: Ян, Сяо
  • Использование СВЧ-резонаторного метода для измерения удельного сопротивления полупроводниковых пластин из карбида кремния
  • Зависимость модуля упругости и твердости от содержания карбида кремния в керамиках TiB2-SiC
    по: Ян, Сяо
  • Исследование фоточувствительности к рентгеновскому излучению сенсоров на основе карбида кремния и монокристаллического сапфира
|   Расширенный поиск   |   Советы для поиска   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Загрузка...