Компьютерное моделирование начальных стадий роста карбида кремния на кремнии из монометилсилана
| Опубликовано в: : | Физика твердого тела : сборник материалов XIX Российской студенческой конференции, посвященной 85-летию кафедры физики твердого тела физического факультета ТГУ (13-17 мая 2024 г.) С. 85-86 |
|---|---|
| Главный автор: | Петраков, Владислав Александрович |
| Формат: | Статья в сборнике |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145064 |
Похожие документы
- Карбид кремния на кремнии (110): структура поверхности и механизмы эпитаксиального роста
-
Влияние содержания карбида кремния на уплотнение композитов TiB2 – SiC
по: Ян, Сяо - Использование СВЧ-резонаторного метода для измерения удельного сопротивления полупроводниковых пластин из карбида кремния
-
Зависимость модуля упругости и твердости от содержания карбида кремния в керамиках TiB2-SiC
по: Ян, Сяо - Исследование фоточувствительности к рентгеновскому излучению сенсоров на основе карбида кремния и монокристаллического сапфира
