Пропуск в контексте
  • Язык
    • English
    • Русский

Расширенный поиск
  • Свойства фотодетекторов на гет...
  • Цитировать
  • Печать
  • Запись для экспорта
    • Экспорт в RefWorks
    • Экспорт в EndNoteWeb
    • Экспорт в EndNote
  • Permanent link
Свойства фотодетекторов на гетероструктурах Ga2O3/ZnGeP2

Свойства фотодетекторов на гетероструктурах Ga2O3/ZnGeP2

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Физика твердого тела : сборник материалов XIX Российской студенческой конференции, посвященной 85-летию кафедры физики твердого тела физического факультета ТГУ (13-17 мая 2024 г.) С. 93-94
Главный автор: Подзывалов, Сергей Николаевич
Другие авторы: Слюнько, Елена Сергеевна, Лысенко, Алексей Борисович
Формат: Статья в сборнике
Язык:Russian
Предметы:
фотодетекторы
гетероструктуры
экспериментальные исследования
статьи в сборниках
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145215
  • Фонды
  • Описание
  • Похожие документы
  • Marc-запись

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145215

Похожие документы

  • Получение монокристаллов ZnGeP2 методом ХТР в системе ZnGeP2-ZnCl2-P
  • Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники
  • Температурные спектры проводимости гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge
  • Моделирование континуального поглощения монокристаллического ZnGeP2
  • Локальные уровни собственных дефектов в GaP и ZnGeP2
    по: Воеводин, Валерий Георгиевич
|   Расширенный поиск   |   Советы для поиска   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Загрузка...