|
|
|
|
| LEADER |
05379nab a2200373 c 4500 |
| 001 |
koha001145263 |
| 005 |
20241127170348.0 |
| 007 |
cr | |
| 008 |
241008|2024 ru s c rus d |
| 024 |
7 |
|
|a 10.17223/24135542/34/9
|2 doi
|
| 035 |
|
|
|a koha001145263
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Химическое строение покрытий, осажденных при активации гексаметилдисилоксана в тлеющем разряде в потоке газа
|c Д. А. Зуза, В. О. Нехорошев, А. В. Батраков, И. А. Курзина
|
| 246 |
1 |
1 |
|a Chemical constitution of coatings deposited under hexamethyldisiloxane activation in a glow discharge in a gas flow
|
| 336 |
|
|
|a Текст
|
| 337 |
|
|
|a электронный
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: 21 назв.
|
| 520 |
3 |
|
|a Цель настоящей работы – выявление особенностей и закономер-ностей формирования химического строения полимер-подобного покрытия, осаж-даемого при плазмохимической активации гексаметилдисилоксана в катодных слоях и плазме положительного столба тлеющего разряда. Тлеющий разряд под-держивался в потоке смеси аргон / гексаметилдисилоксан. Расход аргона составлял 230 мг/мин. Покрытия осаждались в шести различных режимах работы плазмо-химической системы. Режимы работы определялись скоростью расхода гексаме-тилдисилоксана, которая составляла от 1 до 10 мг/мин, и средним током разряда, устанавливаемым в диапазоне от 5 до 50 мА. Химическое строение полученных покрытий было идентифицировано с использованием рентгеновской фотоэлек-тронной спектроскопии и инфракрасной спектроскопии с преобразованием Фурье. Показано, что при варьировании тока разряда и расхода гексаметилдиси-локсана в изучаемой системе образуется широкий спектр различных по химическому строению покрытий. Было идентифицировано четыре различных вида по-лученных покрытий: полиметилсилоксан-подобная структура, сшитая алифати-ческими углеводородными звеньями с высоким (C/Si = 9,4) и низким (C/Si = 2,9) содержанием углеводородных звеньев, полиэдральные олигомерные силсескви-оксаны, сшитые карбосилановыми, силоксановыми и алифатическими звеньями с высоким (C/Si = 5,1) и низким (C/Si = 1,5) содержанием углеводородных зве-ньев. Было обнаружено значительное влияние расхода гексаметилдисилоксана на химическую структуру. Наиболее интересной особенностью некоторых получен-ных кремнийорганических покрытий является высокое относительное содержа-ние углерода. Установлено, что количество углеводородных звеньев в покрытии повышается с током разряда. Выдвинуто предположение об образовании углеводородных пленкообразующих частиц в катодных слоях разряда вследствие ион-индуцированных процессов.
|
| 653 |
|
|
|a плазменная полимеризация
|
| 653 |
|
|
|a кремнийорганические покрытия
|
| 653 |
|
|
|a плазмохимическое осаждение из газовой фазы
|
| 653 |
|
|
|a рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия
|
| 653 |
|
|
|a инфракрасная спектроскопия
|
| 653 |
|
|
|a тлеющий разряд
|
| 655 |
|
4 |
|a статьи в журналах
|
| 700 |
1 |
|
|a Зуза, Даниил Александрович
|
| 700 |
1 |
|
|a Нехорошев, Виталий Олегович
|
| 700 |
1 |
|
|a Батраков, Александр Владимирович
|
| 700 |
1 |
|
|a Курзина, Ирина Александровна
|
| 773 |
0 |
|
|t Вестник Томского государственного университета. Химия
|d 2024
|g № 34. С. 106-119
|x 2413-5542
|w to000518048
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|
| 856 |
4 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145263
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 999 |
|
|
|c 1145263
|d 1145263
|
