Химическое строение покрытий, осажденных при активации гексаметилдисилоксана в тлеющем разряде в потоке газа - Зуза, Даниил Александрович; Нехорошев, Виталий Олегович; Батраков, Александр Владимирович; Курзина, Ирина Александровна (Вестник Томского государственного университета. Химия)
Цель настоящей работы – выявление особенностей и закономер-ностей формирования химического строения полимер-подобного покрытия, осаж-даемого при плазмохимической активации гексаметилдисилоксана в катодных слоях и плазме положительного столба тлеющего разряда. Тлеющий разряд под-держивался в потоке смеси аргон / гексаметилдисилоксан. Расход аргона составлял 230 мг/мин. Покрытия осаждались в шести различных режимах работы плазмо-химической системы. Режимы работы определялись скоростью расхода гексаме-тилдисилоксана, которая составляла от 1 до 10 мг/мин, и средним током разряда, устанавливаемым в диапазоне от 5 до 50 мА. Химическое строение полученных покрытий было идентифицировано с использованием рентгеновской фотоэлек-тронной спектроскопии и инфракрасной спектроскопии с преобразованием Фурье. Показано, что при варьировании тока разряда и расхода гексаметилдиси-локсана в изучаемой системе образуется широкий спектр различных по химическому строению покрытий. Было идентифицировано четыре различных вида по-лученных покрытий: полиметилсилоксан-подобная структура, сшитая алифати-ческими углеводородными звеньями с высоким (C/Si = 9,4) и низким (C/Si = 2,9) содержанием углеводородных звеньев, полиэдральные олигомерные силсескви-оксаны, сшитые карбосилановыми, силоксановыми и алифатическими звеньями с высоким (C/Si = 5,1) и низким (C/Si = 1,5) содержанием углеводородных зве-ньев. Было обнаружено значительное влияние расхода гексаметилдисилоксана на химическую структуру. Наиболее интересной особенностью некоторых получен-ных кремнийорганических покрытий является высокое относительное содержа-ние углерода. Установлено, что количество углеводородных звеньев в покрытии повышается с током разряда. Выдвинуто предположение об образовании углеводородных пленкообразующих частиц в катодных слоях разряда вследствие ион-индуцированных процессов.