Низкоразмерные структуры на основе HgCdTe для физических исследований и приборных применений

Низкоразмерные структуры на основе HgCdTe для физических исследований и приборных применений

Bibliographic Details
Published in:	XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024 г., Москва, Россия : материалы конференции С. 49-50
Other Authors:	Михайлов, Николай Николаевич физик, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Ужаков, Иван Николаевич, Ремесник, Владимир Григорьевич
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	низкоразмерные структуры теллурид кадмия-ртути квантовые ямы экспериментальные исследования статьи в сборниках
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145504

Similar Items

Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well

Фотолюминесценция гетероструктур HgCdTe с множественными квантовыми ямами
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Спектры фотолюминесценции структур HgCdTe с множественными квантовыми ямами
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами

Description of electrophysical characteristics for MIS-structures with CdHgTe-based quantum wells under the 8-300 K
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Electrophysical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures comprising CdHgTe-based quantum wells
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Differential conductance and capacity-voltage characteristics of MIS structures with single quantum wells based on HgTe

Background donor concentration in HgCdTe

Investigation of admittance for CdHgTe-based MIS-structures with single quantum wells under the wide temperature range (8-200) K

Electro-physical characteristics of MIS structures with HgTe-based single quantum wells

Background donor concentration in HgCdTe

Радиационные эффекты в HgCdTe

Distribution of the surface potential of epitaxial HgCdTe

Comparison of background donor concentration in HgCdTe grown with different technologies

Photoluminescence of HgCdTe nanostructures grown by molecular beam epitaxy on GaAs

Electrical properties of the V-defects of epitaxial HgCdTe

Capacitance-voltage characteristics of CdHgTe MIS structures with single quantum wells based on HgTe
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Unipolar barrier structures based on HgCdTe for infrared detection

Воздействие мощного импульсного ИК излучения на свойства гетероэпитаксиальных структур HgCdTe
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, c неоднородным распределением состава
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Лазерная генерация в структурах КРТ с квантовыми ямами
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Теоретическое описание особенностей вольт-фарадных характеристик МДП-структур с квантовыми ямами CdHgTe при температурах 8-300 К
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Magneto-transport in inverted HgTe quantum wells

Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне

Electrical profiling of arsenic-implanted HgCdTe films performed with discrete mobility spectrum analysis

Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe

Long-term stability of electron concentration in HgCdTe-based p-n junctions fabricated with ion etching

Исследование распределения поверхностного потенциала эпитаксиальных пленок CdHgTe

Influence of plasma volume discharge in atmospheric-pressure air on the admittance of MIS structures based on MBE p-HgCdTe

The impact of the plasma volume discharge in the atmospheric-pressure air on the distribution of the surface potential in a V-defect region of epitaxial HgCdTe films

The impact of the plasma volume discharge in the atmospheric-pressure air on the distribution of the surface potential in a V-defect region of epitaxial HgCdTe films

Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Ion etching of HgCdTe: Properties, patterns and use as a method for defect studies

Admittance dependences of the mid-wave infrared barrier structure based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy

Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy on GaAs substrates

Defect study in molecular beam epitaxy-grown HgCdTe films with activated and unactivated arsenic

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика

Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n – структур на основе HgCdTe