Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением
Published in: | XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024 г., Москва, Россия : материалы конференции С. 339-341 |
---|---|
Other Authors: | Средин, Виктор Геннадиевич, Войцеховский, Александр Васильевич, Степанченко, А. В., Мелехов, Андрей Петрович, Рамакоти, Рави Шрираджа |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145505 |
Similar Items
- Peculiarities of the external photoelectric effect in narrow-band semiconductors caused by soft X-ray radiation
- Поверхностное дефектообразование в Cdx Hg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы
- К проблеме дефектообразования в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы
- Исследование дефектообразования в эпитаксиальных слоях n-CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением
- Микроскопический механизм формирования поверхностных дефектов в CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением