Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si для атмосферного канала связи

Похожие документы

• Зависимости коэффициента умножения и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе Ge/Si от степени легирования и толщины слоя умножения
  по: Диб, Хазем
• Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации
• Photodetectors and solar cells with GeSi quantum dots parameters dependence on growth conditions
• Моделирование и оптимизация коэффициента усиления и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе кремния и германия
  по: Диб, Хазем
• Температурные спектры проводимости гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge