Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As

Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As

Bibliographic Details
Published in:	XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024 г., Москва, Россия : материалы конференции С. 334-335
Other Authors:	Коротаев, Александр Григорьевич, Войцеховский, Александр Васильевич, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Варавин, Василий Семенович, Якушев, Максим Витальевич
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	молекулярно-пучковая эпитаксия кадмий-ртуть-теллур имплантация ионов мышьяка экспериментальные исследования статьи в сборниках
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145507 Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком МЛЭ пленках CdHgTe

Состав носителей в имплантированных бором МЛЭ пленках р-CdHgTe

Особенности имплантации ионов аргона и азота в эпитаксиальные пленки КРТ, выращенные методом МЛЭ
by: Григорьев, Денис Валерьевич

Электрофизические характеристики униполярных барьерных структур на основе МЛЭ HgCdTe для детектирования в спектральных диапазонах 3-5 и 8-12 мкм

О природе конверсии МЛЭ гетероэпитаксиальных структур n-CdxHg1-xTe в процессе отжига

Средневолновые ФПУ форматом 640×512 элементов с шагом 15 мкм на основе слоев HgCdTe, выращенных методом МЛЭ на кремниевых подложках

Влияние фонового излучения на фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок КРТ МЛЭ

Вольт-амперные характеристики nBn-структур на основе эпитаксиальных пленок кадмий-ртуть-теллур

Температурные зависимости произведения дифференциального сопротивления на площадь в МДП-структурах на основе CdxHg1-xTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках из Si и GaAs

Время жизни носителей заряда в эпитаксиальных слоях КРТ МЛЭ с неоднородным распределением состава и уровня легирования
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Фоновое ограничение фотоэлектрических параметров эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ
by: Филатов, Михаил Федорович

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ КРТ после ионной имплантации бора

Действие низкотемпературного отжига на электрофизические свойства гетероструктур кадмий - ртуть - теллур p-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Моделирование зонных диаграмм барьерных структур на основе КРТ

Analysis of carrier species in arsenic-implanted p- and n-type Hg0.7Cd0.3Te

Фотопроводимость в магнитном поле пленок р-типа кадмий-ртуть-теллур, выращенных методом жидкофазной эпитаксии

Direct comparison of the results of arsenic ion implantation in n- and p-type Hg0.8Cd0.2Te

Влияние профиля варизонных приграничных облаcтей гетероструктур кадмий - ртуть - теллур p-типа на эффективную скорость поверхностной рекомбинации
by: Костюченко, Владимир Яковлевич

О нагреве Cd0,22Hg0,78Te в процессе ионно-лучевого травления
by: Талипов, Нияз Хатимович

Определение параметров многочастичного состава носителей заряда в CdHgTe. I. Обзор методов анализа спектров подвижности

Определение параметров многочастичного состава носителей заряда в CdHgTe. II. Дискретный анализ спектров подвижности

Многослойные униполярные системы на основе HgCdTe для инфракрасного детектирования

Темновой ток и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе теллурида кадмия и ртути

Эвристическая формула для оценки эффективной длины диффузии фотогенерированных носителей заряда в ИК-фотоприемных матрицах
by: Вишняков, Алексей Витальевич

Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te

Униполярные барьерные структуры на основе МЛЭ HgCdTe

Исследование методом спектроскопии адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe после ионной имплантации бора

Optical and electrical studies of arsenic-implanted HgCdTe films grown with molecular beam epitaxy on GaAs and Si substrates

Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках CdHgTe

Влияние различных стадий процессов ионной имплантации и отжига в МЛЭ HgCdTe на адмиттанс тестовых структур металл-диэлектрик-полупроводник

Электрические и фотоэлектрические свойства поликристаллического кремния после высокоинтенсивной короткоимпульсной имплантации ионов
by: Кабышев, Александр Васильевич

Temperature spectra of conductance of Ge/ Si p-i-n structures with Ge quantum dots

Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe

Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках Cd0.3Hg0.7Te: накопление и отжиг

Дефекты в имплантированных мышьяком р+n- и n+p-структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ

Fluence dependence of nanosize defect layers in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films studied with TEM/HRTEM

Исследование фотоэлектрических свойств пленок КРТ, выращенных МЛЭ
by: Шумкин, С. В.

Моделирование поверхностной сегрегации Ge при молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов Ge-Si
by: Ишков, Арман Дмитриевич

Фотоэлектрические параметры эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ
by: Волков, А. И.

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного КРТ МЛЭ
by: Войцеховский, Александр Васильевич