Skip to content
  • Language
    • English
    • Русский

Advanced
  • Характеристики МДП-систем на о...
  • Cite this
  • Print
  • Export Record
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Permanent link
Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Bibliographic Details
Published in:XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024 г., Москва, Россия : материалы конференции С. 326-328
Other Authors: Войцеховский, Александр Васильевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Горн, Дмитрий Игоревич, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Сидоров, Георгий Юрьевич, Якушев, Максим Витальевич
Format: Book Chapter
Language:Russian
Subjects:
МДП-структуры
теллурид кадмия-ртути
экспериментальные исследования
статьи в сборниках
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145508
  • Holdings
  • Description
  • Similar Items
  • Staff View
Description
Bibliography:Библиогр.: 2 назв.
ISBN:9785948366968

Similar Items

  • Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области
  • Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
  • Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well
  • Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на емкостные характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ
    by: Войцеховский, Александр Васильевич
  • Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами
|   Advanced Search   |   Search Tips   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Loading...