Пропуск в контексте
  • Язык
    • English
    • Русский

Расширенный поиск
  • Характеристики МДП-систем на о...
  • Цитировать
  • Печать
  • Запись для экспорта
    • Экспорт в RefWorks
    • Экспорт в EndNoteWeb
    • Экспорт в EndNote
  • Permanent link
Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Библиографическая информация
Опубликовано в: :XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024 г., Москва, Россия : материалы конференции С. 326-328
Другие авторы: Войцеховский, Александр Васильевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Горн, Дмитрий Игоревич, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Сидоров, Георгий Юрьевич, Якушев, Максим Витальевич
Формат: Статья в сборнике
Язык:Russian
Предметы:
МДП-структуры
теллурид кадмия-ртути
экспериментальные исследования
статьи в сборниках
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145508
  • Фонды
  • Описание
  • Похожие документы
  • Marc-запись

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145508

Похожие документы

  • Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области
  • Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
  • Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well
  • Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на емкостные характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ
    по: Войцеховский, Александр Васильевич
  • Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами
|   Расширенный поиск   |   Советы для поиска   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Загрузка...