Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024 г., Москва, Россия : материалы конференции С. 326-328
Другие авторы:	Войцеховский, Александр Васильевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Горн, Дмитрий Игоревич, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Сидоров, Георгий Юрьевич, Якушев, Максим Витальевич
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	МДП-структуры теллурид кадмия-ртути экспериментальные исследования статьи в сборниках
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145508

Похожие документы

Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области

Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well

Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на емкостные характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика

Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне

Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22—0,23)
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Influence of plasma volume discharge in atmospheric-pressure air on the admittance of MIS structures based on MBE p-HgCdTe

Background donor concentration in HgCdTe

Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe

Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe

Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe в широком диапазоне температур
по: Несмелов, Сергей Николаевич

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, c неоднородным распределением состава
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Особенности поведения дифференциальной емкости МДП-структуры при наличии слоев CdTe в варизонном слое полупроводниковой пленки HgCdTe
по: Дзядух, Станислав Михайлович

Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на электрофизические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального p-Hg0,78Cd0,22Te
по: Несмелов, Сергей Николаевич

Модификация поверхности твердых растворов CdхHg1-хTe рентгеновским излучением

Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23)

Admittance studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing

Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0,29–0,31) с резкими неоднородностями по составу

Background donor concentration in HgCdTe

Гистерезисные явления в МДП-структурах на основе варизонного МЛЭ HgCdTe с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Дзядух, Станислав Михайлович

Радиационные эффекты в HgCdTe

Distribution of the surface potential of epitaxial HgCdTe

Свойства поверхностных состояний в МДП-структурах на основе варизонного n-Hg1-хCdхTe (x = 0.21-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с пассивирующими слоями SiO2/Si3N4 и Al2O3

Description of electrophysical characteristics for MIS-structures with CdHgTe-based quantum wells under the 8–300 K
по: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Electrophysical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures comprising CdHgTe-based quantum wells
по: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-HgCdTe (x = 0,22—0,23 и 0,31—0,32) в широком диапазоне температур

Influence of As+ Ion implantation on properties of MBE HgCdTe near-surface layer characterized by metal–insulator–semiconductor techniques

Effect of pulse nanosecond volume discharge in air at atmospheric pressure on electrical properties of MIS structures based on p-HgCdTe grown by molecular beam epitaxy

Comparison of background donor concentration in HgCdTe grown with different technologies

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного КРТ МЛЭ
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Фотолюминесценция гетероструктур HgCdTe с множественными квантовыми ямами
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ N-HG 1-ХCD ХTE (X = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К

Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного Hg1-хCdхTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs и Si

Моделирование вольт-фарадных характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe при неоднородном распределении состава и легирующей примеси
по: Войцеховский, Александр Васильевич