Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n – структур на основе HgCdTe
Представлены результаты экспериментальных исследований влияния постоянной подсветки на ВАХ униполярных барьерных структур на основе гетероэпитаксиальных слоев КРТ со сверхрешеткой в барьерной области в широком диапазоне температур. Проведен анализ объемной и поверхностной компонент полного тока чере...
Published in: | XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов С. 285-286 |
---|---|
Other Authors: | Войцеховский, Александр Васильевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Горн, Дмитрий Игоревич, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Сидоров, Георгий Юрьевич, Якушев, Максим Витальевич |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145606 |
Similar Items
- Unipolar barrier structures based on HgCdTe for infrared detection
- Униполярные барьерные структуры на основе МЛЭ HgCdTe
- Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне
- Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0,29–0,31) с резкими неоднородностями по составу
- Background donor concentration in HgCdTe