Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области
В работе в широком диапазоне условий проведено исследование влияния постоянной ИК-подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структуры, на основе nBn из Hg1-XCdXTe, выращенных методом МЛЭ со сверхрешеткой в барьерной области. Определено влияние постоянной ИК-подсветки на зависимости емкости и дифф...
| Published in: | Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11-15 марта 2024 г., Нижний Новгород Т. 2. С. 606-607 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , , , , |
| Format: | Book Chapter |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145629 |
| Summary: | В работе в широком диапазоне условий проведено исследование влияния постоянной ИК-подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структуры, на основе nBn из Hg1-XCdXTe, выращенных методом МЛЭ со сверхрешеткой в барьерной области. Определено влияние постоянной ИК-подсветки на зависимости емкости и дифференциальной проводимости от напряжения смещения на различных частотах тестового сигнала. |
|---|---|
| Bibliography: | Библиогр.: 4 назв. |
| ISBN: | 9785804801244 |
