Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области - Войцеховский, Александр Васильевич; Дзядух, Станислав Михайлович; Горн, Дмитрий Игоревич; Дворецкий, Сергей Алексеевич; Михайлов, Николай Николаевич физик; Сидоров, Георгий Юрьевич; Якушев, Максим Витальевич (Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11-15 марта 2024 г., Нижний Новгород)
В работе в широком диапазоне условий проведено исследование влияния постоянной ИК-подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структуры, на основе nBn из Hg1-XCdXTe, выращенных методом МЛЭ со сверхрешеткой в барьерной области. Определено влияние постоянной ИК-подсветки на зависимости емкости и дифференциальной проводимости от напряжения смещения на различных частотах тестового сигнала.