Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области

Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области

В работе в широком диапазоне условий проведено исследование влияния постоянной ИК-подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структуры, на основе nBn из Hg1-XCdXTe, выращенных методом МЛЭ со сверхрешеткой в барьерной области. Определено влияние постоянной ИК-подсветки на зависимости емкости и дифф...

Full description

Bibliographic Details
Published in:	Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11-15 марта 2024 г., Нижний Новгород Т. 2. С. 606-607
Other Authors:	Войцеховский, Александр Васильевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Горн, Дмитрий Игоревич, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Сидоров, Георгий Юрьевич, Якушев, Максим Витальевич
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	МДП-структуры теллурид кадмия-ртути ИК-подсветка экспериментальные исследования статьи в сборниках
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145629

Similar Items

Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Импеданс МДП-приборов на основе nBn-структур из теллурида кадмия – ртути

Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного КРТ МЛЭ
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23)

Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0,29–0,31) с резкими неоднородностями по составу

Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на емкостные характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Дзядух, Станислав Михайлович

Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ КРТ после ионной имплантации бора

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с пассивирующими слоями SiO2/Si3N4 и Al2O3

Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на электрофизические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального p-Hg0,78Cd0,22Te
by: Несмелов, Сергей Николаевич

Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне

Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22—0,23)
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Воздействие мощного импульсного ИК излучения на свойства гетероэпитаксиальных структур HgCdTe
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0.23) в широком диапазоне температур

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика

Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ N-HG 1-ХCD ХTE (X = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К

Свойства поверхностных состояний в МДП-структурах на основе варизонного n-Hg1-хCdхTe (x = 0.21-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Концентрация электронов в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.40), определенная из емкостных измерений МДП-структур

Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного Hg1-хCdхTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs и Si

Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) в режиме сильной инверсии
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n – структур на основе HgCdTe

Influence of composition of the near-surface graded-gap layer on the admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap MBE n-Hg1–xCdxTe in wide temperature range
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Особенности адмиттанса МДП структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0,30)

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, c неоднородным распределением состава
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-HgCdTe (x = 0,22—0,23 и 0,31—0,32) в широком диапазоне температур

Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe

Исследование методом спектроскопии адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ Hg1–xCdxTe после ионной имплантации бора

Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well

Influence of plasma volume discharge in atmospheric-pressure air on the admittance of MIS structures based on MBE p-HgCdTe

Модификация поверхности твердых растворов CdхHg1-хTe рентгеновским излучением

Полная проводимость МДП-структур на основе варизонного p-Hg1–хCdхTe (x = 0.22–0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe в широком диапазоне температур
by: Несмелов, Сергей Николаевич

Гистерезисные явления в МДП-структурах на основе варизонного МЛЭ HgCdTe с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Description of electrophysical characteristics for MIS-structures with CdHgTe-based quantum wells under the 8–300 K
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3

Влияние импульсного объемного наносекундного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства МДП-структур на основе p-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии