Температурные особенности сверхструктурных переходов при росте наноструктур Ge/Si (111) - Лозовой, Кирилл Александрович; Дирко, Владимир Владиславович; Кукенов, Олжас Игоревич; Коханенко, Андрей Павлович (XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов)
Представлены результаты исследования процессов эпитаксиального роста германия на кремнии с кристаллографической ориентацией (111) в широком интервале температур. С помощью метода дифракции быстрых отраженных электронов определены температурные зависимости продолжительности стадии перехода из сверхструктуры 7 x 7 в 5 x 5 и значения критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в диапазоне от 250 до 700 °C. Показано, что время перехода от сверхструктуры 7 x 7 к сверхструктуре 5 х 5 зависит от температуры эпитаксиального роста.