Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Приведены результаты экспериментальных исследований темновых характеристик инфракрасных n+Bn-детекторов на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области. Проанализированы вклады объемной и поверхностной компонент темнового тока структур при различных температурах. Определены их энергии акт...
| Published in: | XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов С. 304-305 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , , , , , , |
| Format: | Book Chapter |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145864 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Summary: | Приведены результаты экспериментальных исследований темновых характеристик инфракрасных n+Bn-детекторов на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области. Проанализированы вклады объемной и поверхностной компонент темнового тока структур при различных температурах. Определены их энергии активации энергетических уровней обнаруженных в запрещенной зоне полупроводника. |
|---|---|
| Bibliography: | Библиогр.: 5 назв. |
| ISBN: | 9785726229317 |
