Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Приведены результаты экспериментальных исследований темновых характеристик инфракрасных n+Bn-детекторов на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области. Проанализированы вклады объемной и поверхностной компонент темнового тока структур при различных температурах. Определены их энергии активаци...
| Published in: | XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов С. 304-305 |
|---|---|
| Other Authors: | Войцеховский, Александр Васильевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Горн, Дмитрий Игоревич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Меньшиков, Р. В., Сидоров, Георгий Юрьевич, Ужаков, Иван Николаевич, Якушев, Максим Витальевич |
| Format: | Book Chapter |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145864 |
Similar Items
- Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
- Компоненты темнового тока nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для широкого диапазона напряжений смещения
- Темновые и сигнальные характеристики униполярных барьерных структур на основе n-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках
- Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe
- Темновые токи бариодных структур на основе теллурида кадмия ртути для средне- и длинноволновых инфракрасных детекторов
