Численный анализ переноса фотоносителей в детекторных структурах на основе арсенида галлия, компенсированного хромом
Одним из важнейших электрофизических параметров полупроводниковых материалов, определяющих быстродействие как полупроводниковых детекторов, так и, в целом, всех приборов микроэлектроники, является дрейфовая подвижность носителей заряда. Известные на сегодняшний день экспериментальные методы измерени...
| Опубликовано в: : | Двадцатая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, г. Томск, 2–5 мая 2023 г. С. 40-41 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Формат: | Статья в сборнике |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001146078 |