|
|
|
|
| LEADER |
02509naa a2200301 c 4500 |
| 001 |
koha001146079 |
| 005 |
20241023120550.0 |
| 007 |
cr | |
| 008 |
241021s2023 ru fs 100 0 rus d |
| 035 |
|
|
|a koha001146079
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 100 |
1 |
|
|a Киселева, Ольга Сергеевна
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Электрофизические свойства структур Ga2O3/GaAs
|c О. С. Киселева, Б. О. Кушнарев, А. В. Цымбалов
|
| 336 |
|
|
|a Текст
|
| 337 |
|
|
|a электронный
|
| 520 |
3 |
|
|a В данной работе исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/n(p)-GaAs. При работе на постоянном сигнале образцы проявляют свойства фотодиода и способны работать в автономном режиме. Фотоэлектрические характеристики детекторов во время непрерывного действия излучения с λ = 254 нм определяются высокой плотностью ловушек на границе Ga2O3/GaAs и в объеме оксидной пленки. Средние значения напряжения холостого хода Uхх структур Ga2O3/п-GaAs составляют 0,4 В, ток короткого замыкания Iкз =1ˑ10-6 А. Если при прочих равных условиях Ga2O3 наносится на пластину GaAs:Сr, то Uхх повышается до 0,8 В, а Iкз = 6ˑ10-9 А.
|
| 653 |
|
|
|a УФ-излучение
|
| 653 |
|
|
|a токи короткого замыкания
|
| 653 |
|
|
|a арсенид галлия
|
| 653 |
|
|
|a экспериментальные исследования
|
| 655 |
|
4 |
|a статьи в сборниках
|
| 700 |
1 |
|
|a Кушнарев, Богдан Олегович
|
| 700 |
1 |
|
|a Цымбалов, Александр Вячеславович
|
| 773 |
0 |
|
|t Двадцатая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, г. Томск, 2–5 мая 2023 г.
|d Томск, 2023
|g С. 66-67
|z 9785936296987
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|
| 856 |
4 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001146079
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 999 |
|
|
|c 1146079
|d 1146079
|
