Электрофизические свойства структур Ga2O3/GaAs - Киселева, Ольга Сергеевна (Двадцатая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, г. Томск, 2–5 мая 2023 г.)
В данной работе исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/n(p)-GaAs. При работе на постоянном сигнале образцы проявляют свойства фотодиода и способны работать в автономном режиме. Фотоэлектрические характеристики детекторов во время непрерывного действия излучения с λ = 254 нм определяются высокой плотностью ловушек на границе Ga2O3/GaAs и в объеме оксидной пленки. Средние значения напряжения холостого хода Uхх структур Ga2O3/п-GaAs составляют 0,4 В, ток короткого замыкания Iкз =1ˑ10-6 А. Если при прочих равных условиях Ga2O3 наносится на пластину GaAs:Сr, то Uхх повышается до 0,8 В, а Iкз = 6ˑ10-9 А.