Анализ длины димерного ряда при гетероэпитаксиальном росте Ge/Si(100) методом дифракции быстрых отраженных электронов
В работе представлено исследование длины димерных рядов сверхструктуры 2xN в зависимости от температуры в диапазоне 200–550 °С. Обнаружено изменение длины димерного ряда при росте Ge на Si(100) от температуры роста. Увеличение длины димерного ряда говорит о росте упругих напряжений в системе, а знач...
| Опубликовано в: : | Двадцатая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, г. Томск, 2–5 мая 2023 г. С. 68-69 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Другие авторы: | |
| Формат: | Статья в сборнике |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001146084 |
| Итог: | В работе представлено исследование длины димерных рядов сверхструктуры 2xN в зависимости от температуры в диапазоне 200–550 °С. Обнаружено изменение длины димерного ряда при росте Ge на Si(100) от температуры роста. Увеличение длины димерного ряда говорит о росте упругих напряжений в системе, а значит, может влиять на критическую толщину слоя Ge на Si(100) |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 5 назв. |
| ISBN: | 9785936296987 |