|
|
|
|
| LEADER |
02173naa a2200301 c 4500 |
| 001 |
koha001146084 |
| 005 |
20241212180512.0 |
| 007 |
cr | |
| 008 |
241021s2023 ru fs 100 0 rus d |
| 035 |
|
|
|a koha001146084
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 100 |
1 |
|
|a Кукенов, Олжас Игоревич
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Анализ длины димерного ряда при гетероэпитаксиальном росте Ge/Si(100) методом дифракции быстрых отраженных электронов
|c О. И. Кукенов, А. С. Соколов
|
| 336 |
|
|
|a Текст
|
| 337 |
|
|
|a электронный
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: 5 назв.
|
| 520 |
3 |
|
|a В работе представлено исследование длины димерных рядов сверхструктуры 2xN в зависимости от температуры в диапазоне 200–550 °С. Обнаружено изменение длины димерного ряда при росте Ge на Si(100) от температуры роста. Увеличение длины димерного ряда говорит о росте упругих напряжений в системе, а значит, может влиять на критическую толщину слоя Ge на Si(100)
|
| 653 |
|
|
|a молекулярно-лучевая эпитаксия
|
| 653 |
|
|
|a дифракция быстрых отраженных электронов, метод
|
| 653 |
|
|
|a сверхструктуры
|
| 653 |
|
|
|a экспериментальные исследования
|
| 655 |
|
4 |
|a статьи в сборниках
|
| 700 |
1 |
|
|a Соколов, Арсений Сергеевич
|
| 773 |
0 |
|
|t Двадцатая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, г. Томск, 2–5 мая 2023 г.
|d Томск, 2023
|g С. 68-69
|z 9785936296987
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|
| 856 |
4 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001146084
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 999 |
|
|
|c 1146084
|d 1146084
|
