Анализ длины димерного ряда при гетероэпитаксиальном росте Ge/Si(100) методом дифракции быстрых отраженных электронов
В работе представлено исследование длины димерных рядов сверхструктуры 2xN в зависимости от температуры в диапазоне 200–550 °С. Обнаружено изменение длины димерного ряда при росте Ge на Si(100) от температуры роста. Увеличение длины димерного ряда говорит о росте упругих напряжений в системе, а знач...
| Published in: | Двадцатая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, г. Томск, 2–5 мая 2023 г. С. 68-69 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | |
| Format: | Book Chapter |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001146084 |