| Summary: | Методом магнетронного распыления получены a-C- и a-C:Ni-пленки на подложках из монокристаллического кремния и термоэлектрического материала n-типа ((Bi₂Te₃)₀.₉₄(Bi₂Se₃)₀.₀₆) и p-типа ((Bi₂Te₃)₀.₂₀(Sb₂Te₃)₀.₈₀) проводимости. Изучено влияние концентрации Ni на удельное электрическое сопротивление, твердость и адгезию полученных пленок. Показано, что удельное сопротивление a-C-пленок, наносимых распылением графитовой мишени при подаче высоковольтного напряжения смещения на подложку, может быть снижено за счет увеличения доли графитизированного углерода. Добавление Ni в такие пленки позволяет дополнительно снизить их удельное сопротивление. С увеличением содержания Ni происходит снижение твердости и адгезии a-C:Ni-пленок. Полученные значения удельного электрического сопротивления и адгезии a-C:Ni-пленок к термоэлектрическим материалам позволяют использовать их в качестве барьерных антидиффузионных покрытий термоэлектрических модулей.
|
|---|
