Электрофизические и оптические исследования дефектной структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии пленок CdHgTe
Проведены электрофизические и оптические исследования дефектной структуры пленок CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Показано, что особенностью данных пленок является наличие нейтральных дефектов, формирующихся на стадии роста и присущих материалу, выращенному методом...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 3. С. 110-113 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , , , , , , , , , , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001147039 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Итог: | Проведены электрофизические и оптические исследования дефектной структуры пленок CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Показано, что особенностью данных пленок является наличие нейтральных дефектов, формирующихся на стадии роста и присущих материалу, выращенному методом МЛЭ. Предполагается, что этими нейтральными дефектами являются нанокомплексы Те. При ионном травлении они активируются междоузельной ртутью и формируют донорные центры с концентрацией ~ 1017 см⁻³, что дает возможность обнаруживать эти дефекты с помощью измерений электрических параметров материала. При легировании CdHgTe мышьяком с высокотемпературным крекингом присутствующий в потоке мышьяка димер As₂ блокирует образование нейтральных нанокомплексов Те с формированием донорных комплексов As₂Te₃. Результаты электрофизических исследований сравниваются с данными исследований, выполненных микрорамановской спектроскопией. |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 12 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |