| Summary: | Проведены электрофизические и оптические исследования дефектной структуры пленок CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Показано, что особенностью данных пленок является наличие нейтральных дефектов, формирующихся на стадии роста и присущих материалу, выращенному методом МЛЭ. Предполагается, что этими нейтральными дефектами являются нанокомплексы Те. При ионном травлении они активируются междоузельной ртутью и формируют донорные центры с концентрацией ~ 1017 см⁻³, что дает возможность обнаруживать эти дефекты с помощью измерений электрических параметров материала. При легировании CdHgTe мышьяком с высокотемпературным крекингом присутствующий в потоке мышьяка димер As₂ блокирует образование нейтральных нанокомплексов Те с формированием донорных комплексов As₂Te₃. Результаты электрофизических исследований сравниваются с данными исследований, выполненных микрорамановской спектроскопией.
|
|---|
