Электрофизические и оптические исследования дефектной структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии пленок CdHgTe

Проведены электрофизические и оптические исследования дефектной структуры пленок CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Показано, что особенностью данных пленок является наличие нейтральных дефектов, формирующихся на стадии роста и присущих материалу, выращенному методом МЛЭ...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 3. С. 110-113
Other Authors: Свентек, Збигнев, Озга, Петр, Ижнин, Игорь Иванович, Фицич, Елена Ивановна, Войцеховский, Александр Васильевич, Коротаев, Александр Григорьевич, Мынбаев, Карим Джафарович, Варавин, Василий Семенович, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Якушев, Максим Витальевич, Бончик, Александр Юрьевич, Савицкий, Григорий Владимирович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001147039
LEADER 03776nab a2200433 c 4500
001 koha001147039
005 20241127161113.0
007 cr |
008 241101|2016 ru s c rus d
035 |a koha001147039 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Электрофизические и оптические исследования дефектной структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии пленок CdHgTe  |c З. Свёнтек, П. Озга, И. И. Ижнин [и др.] 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 12 назв. 
520 3 |a Проведены электрофизические и оптические исследования дефектной структуры пленок CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Показано, что особенностью данных пленок является наличие нейтральных дефектов, формирующихся на стадии роста и присущих материалу, выращенному методом МЛЭ. Предполагается, что этими нейтральными дефектами являются нанокомплексы Те. При ионном травлении они активируются междоузельной ртутью и формируют донорные центры с концентрацией ~ 1017 см⁻³, что дает возможность обнаруживать эти дефекты с помощью измерений электрических параметров материала. При легировании CdHgTe мышьяком с высокотемпературным крекингом присутствующий в потоке мышьяка димер As₂ блокирует образование нейтральных нанокомплексов Те с формированием донорных комплексов As₂Te₃. Результаты электрофизических исследований сравниваются с данными исследований, выполненных микрорамановской спектроскопией. 
653 |a пленки CdHgTe 
653 |a ионное травление 
653 |a нейтральные дефекты 
653 |a микрорамановская спектроскопия 
655 4 |a статьи в журналах 
700 1 |a Свентек, Збигнев 
700 1 |a Озга, Петр 
700 1 |a Ижнин, Игорь Иванович 
700 1 |a Фицич, Елена Ивановна 
700 1 |a Войцеховский, Александр Васильевич 
700 1 |a Коротаев, Александр Григорьевич 
700 1 |a Мынбаев, Карим Джафарович 
700 1 |a Варавин, Василий Семенович 
700 1 |a Дворецкий, Сергей Алексеевич 
700 1 |a Михайлов, Николай Николаевич  |c физик 
700 1 |a Якушев, Максим Витальевич 
700 1 |a Бончик, Александр Юрьевич 
700 1 |a Савицкий, Григорий Владимирович 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2016  |g Т. 59, № 3. С. 110-113  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001147039 
908 |a статья 
999 |c 1147039  |d 1147039