Электрофизические и оптические исследования дефектной структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии пленок CdHgTe

Проведены электрофизические и оптические исследования дефектной структуры пленок CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Показано, что особенностью данных пленок является наличие нейтральных дефектов, формирующихся на стадии роста и присущих материалу, выращенному методом...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 3. С. 110-113
Other Authors: Свентек, Збигнев, Озга, Петр, Ижнин, Игорь Иванович, Фицич, Елена Ивановна, Войцеховский, Александр Васильевич, Коротаев, Александр Григорьевич, Мынбаев, Карим Джафарович, Варавин, Василий Семенович, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Якушев, Максим Витальевич, Бончик, Александр Юрьевич, Савицкий, Григорий Владимирович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001147039
Перейти в каталог НБ ТГУ
LEADER 04092nab a2200457 c 4500
001 koha001147039
005 20241127161113.0
007 cr |
008 241101|2016 ru s c rus d
035 |a koha001147039 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Электрофизические и оптические исследования дефектной структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии пленок CdHgTe  |c З. Свёнтек, П. Озга, И. И. Ижнин [и др.] 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 12 назв. 
520 3 |a Проведены электрофизические и оптические исследования дефектной структуры пленок CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Показано, что особенностью данных пленок является наличие нейтральных дефектов, формирующихся на стадии роста и присущих материалу, выращенному методом МЛЭ. Предполагается, что этими нейтральными дефектами являются нанокомплексы Те. При ионном травлении они активируются междоузельной ртутью и формируют донорные центры с концентрацией ~ 1017 см⁻³, что дает возможность обнаруживать эти дефекты с помощью измерений электрических параметров материала. При легировании CdHgTe мышьяком с высокотемпературным крекингом присутствующий в потоке мышьяка димер As₂ блокирует образование нейтральных нанокомплексов Те с формированием донорных комплексов As₂Te₃. Результаты электрофизических исследований сравниваются с данными исследований, выполненных микрорамановской спектроскопией. 
653 |a пленки CdHgTe 
653 |a ионное травление 
653 |a нейтральные дефекты 
653 |a микрорамановская спектроскопия 
655 4 |a статьи в журналах  |9 976120 
700 1 |a Свентек, Збигнев  |9 481506 
700 1 |a Озга, Петр  |9 976121 
700 1 |a Ижнин, Игорь Иванович  |9 91993 
700 1 |a Фицич, Елена Ивановна  |9 99225 
700 1 |a Войцеховский, Александр Васильевич  |9 64789 
700 1 |a Коротаев, Александр Григорьевич  |9 80403 
700 1 |a Мынбаев, Карим Джафарович  |9 264269 
700 1 |a Варавин, Василий Семенович  |9 90984 
700 1 |a Дворецкий, Сергей Алексеевич  |9 90983 
700 1 |a Михайлов, Николай Николаевич  |c физик  |9 90964 
700 1 |a Якушев, Максим Витальевич  |9 91994 
700 1 |a Бончик, Александр Юрьевич  |9 92399 
700 1 |a Савицкий, Григорий Владимирович  |9 264266 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2016  |g Т. 59, № 3. С. 110-113  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001147039 
856 |y Перейти в каталог НБ ТГУ  |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1147039 
908 |a статья 
039 |b 100 
999 |c 1147039  |d 1147039