Электрофизические и оптические исследования дефектной структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии пленок CdHgTe

Электрофизические и оптические исследования дефектной структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии пленок CdHgTe

Проведены электрофизические и оптические исследования дефектной структуры пленок CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Показано, что особенностью данных пленок является наличие нейтральных дефектов, формирующихся на стадии роста и присущих материалу, выращенному методом МЛЭ...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 3. С. 110-113
Other Authors: Свентек, Збигнев, Озга, Петр, Ижнин, Игорь Иванович, Фицич, Елена Ивановна, Войцеховский, Александр Васильевич, Коротаев, Александр Григорьевич, Мынбаев, Карим Джафарович, Варавин, Василий Семенович, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Якушев, Максим Витальевич, Бончик, Александр Юрьевич, Савицкий, Григорий Владимирович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
пленки CdHgTe
ионное травление
нейтральные дефекты
микрорамановская спектроскопия
статьи в журналах
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001147039

Similar Items

Similar Items