Электрофизические и оптические исследования дефектной структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии пленок CdHgTe

Электрофизические и оптические исследования дефектной структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии пленок CdHgTe

Проведены электрофизические и оптические исследования дефектной структуры пленок CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Показано, что особенностью данных пленок является наличие нейтральных дефектов, формирующихся на стадии роста и присущих материалу, выращенному методом МЛЭ...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 3. С. 110-113
Другие авторы:	Свентек, Збигнев, Озга, Петр, Ижнин, Игорь Иванович, Фицич, Елена Ивановна, Войцеховский, Александр Васильевич, Коротаев, Александр Григорьевич, Мынбаев, Карим Джафарович, Варавин, Василий Семенович, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Якушев, Максим Витальевич, Бончик, Александр Юрьевич, Савицкий, Григорий Владимирович
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	пленки CdHgTe ионное травление нейтральные дефекты микрорамановская спектроскопия статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001147039

Похожие документы

Localization and nature of radiation donor defects in the arsenic implanted CdHgTe films grown by MBE

Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком пленках CdHgTe, выращенных МЛЭ

Admittance of metal-insulator-semiconductor devices based on HgCdTe nBn structures

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Дзядух, Станислав Михайлович
Публикация: (2010)

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10/
по: Дзядух, С. М. Станислав Михайлович
Публикация: (2010)

Униполярные nBn-структуры и детекторы на основе HgCdTe

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe в диапазоне температур 9-250 К
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Емкостные свойства МДП-систем на основе nBn-структуры из МЛЭ HgCdTe

Accumulation and annealing of radiation donor defects in arsenic-implanted Hg0.7Cd0.3Te films

Nano‑size defect layers in arsenic‑implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with transmission electron microscopy

Arsenic-ion implantation-induced defects in HgCdTe films studied with Hall-effect measurements and mobility spectrum analysis

Aдмиттанс МДП-структур на основе nBn-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3−5 µm

Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ n-HgCdTe в конфигурации NBvN методом спектроскопии адмиттанса

Компоненты темнового тока nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для широкого диапазона напряжений смещения

Особенности определения концентрации легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника путем измерения адмиттанса МДП-структур на основе p-Hg0.78Cd0.22Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Photoelectrical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy
по: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Диффузионное ограничение темнового тока в nBn-структурах на основе МЛЭ HgCdTe

Долговременная стабильность CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением

Background donor concentration in HgCdTe

Релаксация и долговременная стабильность МЛЭ CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением

Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона
Публикация: (2001)

Long-term stability of electron concentration in HgCdTe-based p-n junctions fabricated with ion etching

Ion implantation and ion milling in MBE Hg1-xCdxNe films

Ion etching of HgCdTe: Properties, patterns and use as a method for defect studies

Ионное травление микроструктур: научное издание/
по: Данилин Борис Степанович, et al.
Публикация: (1979)

Электрофизические свойства эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, после низкоэнергетического ионного воздействия
по: Волков, В. С.

Динамика электрических свойств конвертированных при ионной имплантации и ионном травлении n-слоев в р-CdxHg1-xTe

Долговременная стабильность p-n переходов в МЛЭ гетероструктурах CdxHg1-xTe, сформированных ионным травлением

Исследование и разработка технологических процессов внутреннего монтажа бескорпусных микросхем на основе полиимидных микроструктур для производства высокоинтегрированных микросборок: автореферат диссертации ... кандидата технических наук: 05.27.06/
по: Вертянов, Д. В. Денис Васильевич
Публикация: (2020)

Исследование фотоэлектрических свойств эпитаксиальных пленок CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Чарыков, И. В.

Релаксация электрофизических параметров n-слоев в МЛЭ эпитаксиальных пленках p-CdxHg1-xTe сформированных ионной имплантацией и ионным травлением

Технология СБИС: Учебное пособие/
по: Данилина, Т. И. Тамара Ивановна, et al.
Публикация: (2007)

Конструктивно-технологические решения для создания кварцевого чувствительного элемента акселерометра с повышенной температурной стабильностью нулевого сигнала: автореферат диссертации ... кандидата технических наук: 2.2.2/
по: Харламов, М. С. Максим Сергеевич
Публикация: (2022)

Быстро и легко создаем и копируем диски CD-ROM, AudioCD, VideoCD, DVD: Учебное пособие/
Публикация: (2002)

Ионно-плазменные технологии в производстве СБИС: Учебное пособие/
по: Данилина, Т. И. Тамара Ивановна, et al.
Публикация: (2000)

Компакт-диски и CD устройства: брошюра/
по: Николин, В. А.
Публикация: (1997)

Запись CD и DVD
по: Гультяев, Алексей Константинович
Публикация: (2005)

Анатомический атлас растений-углеобразователей палеозоя
по: Кизильштейн, Леонид Яковлевич
Публикация: (1999)

Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией

Технология кремниевой наноэлектроники: учебное пособие/
по: Данилина, Т. И. Тамара Ивановна, et al.
Публикация: (2015)