К теории баллистического линейного фотогальванического эффекта в полупроводниках симметрии тетраэдра при двухфотонном поглощении - Расулов, Рустам Явкачович (Известия высших учебных заведений. Физика)
Рассчитан и проведен теоретический анализ баллистического вклада в ток линейного фотогальванического эффекта при двухфотонном поглощении света в полупроводниках симметрии тетраэдра со сложной зонной структурой, состоящей из двух близко расположенных подзон. При этом учтены переходы между ветвями одной зоны как при одновременном поглощении двух фотонов, так и при последовательном поглощении двух одинарных фотонов.