Эквивалентная схема гетероструктуры с множественными квантовыми ямами
Из рассмотрения физических процессов в гетероструктуре с квантовыми ямами (КЯ) оставлена ее эквивалентная схема, включающая барьерную емкость и дифференциальное сопротивление p-n-перехода, емкость и сопротивление релаксации заряда в КЯ, а также сопротивление поставки свободных носителей заряда в КЯ...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 7. С. 102-109 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001147743 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Summary: | Из рассмотрения физических процессов в гетероструктуре с квантовыми ямами (КЯ) оставлена ее эквивалентная схема, включающая барьерную емкость и дифференциальное сопротивление p-n-перехода, емкость и сопротивление релаксации заряда в КЯ, а также сопротивление поставки свободных носителей заряда в КЯ. Получены аналитические выражения для эквивалентной емкости и эквивалентного сопротивления гетероструктуры последовательной схемы замещения, а также проанализировано поведение эквивалентных параметров при изменении частоты тестового сигнала. Результаты экспериментальных исследований емкостных и резистивных свойств гетероструктур с КЯ на основе барьеров InGaN/GaN подтверждают расчетные зависимости их эквивалентных параметров, а также показывают их зависимость от особенностей кинетических свойств гетероструктур. |
|---|---|
| Bibliography: | Библиогр.: 8 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |