| Итог: | Из рассмотрения физических процессов в гетероструктуре с квантовыми ямами (КЯ) оставлена ее эквивалентная схема, включающая барьерную емкость и дифференциальное сопротивление p–n-перехода, емкость и сопротивление релаксации заряда в КЯ, а также сопротивление поставки свободных носителей заряда в КЯ. Получены аналитические выражения для эквивалентной емкости и эквивалентного сопротивления гетероструктуры последовательной схемы замещения, а также проанализировано поведение эквивалентных параметров при изменении частоты тестового сигнала. Результаты экспериментальных исследований емкостных и резистивных свойств гетероструктур с КЯ на основе барьеров InGaN/GaN подтверждают расчетные зависимости их эквивалентных параметров, а также показывают их зависимость от особенностей кинетических свойств гетероструктур.
|
|---|
