|
|
|
|
| LEADER |
02792nab a2200301 c 4500 |
| 001 |
koha001147743 |
| 005 |
20241202125756.0 |
| 007 |
cr | |
| 008 |
241115|2015 ru s c rus d |
| 035 |
|
|
|a koha001147743
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 100 |
1 |
|
|a Давыдов, Валерий Николаевич
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Эквивалентная схема гетероструктуры с множественными квантовыми ямами
|c В. Н. Давыдов, Д. А. Новиков
|
| 336 |
|
|
|a Текст
|
| 337 |
|
|
|a электронный
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: 8 назв.
|
| 520 |
3 |
|
|a Из рассмотрения физических процессов в гетероструктуре с квантовыми ямами (КЯ) оставлена ее эквивалентная схема, включающая барьерную емкость и дифференциальное сопротивление p–n-перехода, емкость и сопротивление релаксации заряда в КЯ, а также сопротивление поставки свободных носителей заряда в КЯ. Получены аналитические выражения для эквивалентной емкости и эквивалентного сопротивления гетероструктуры последовательной схемы замещения, а также проанализировано поведение эквивалентных параметров при изменении частоты тестового сигнала. Результаты экспериментальных исследований емкостных и резистивных свойств гетероструктур с КЯ на основе барьеров InGaN/GaN подтверждают расчетные зависимости их эквивалентных параметров, а также показывают их зависимость от особенностей кинетических свойств гетероструктур.
|
| 653 |
|
|
|a множественные квантовые ямы
|
| 653 |
|
|
|a гетероструктуры
|
| 653 |
|
|
|a эквивалентные схемы
|
| 653 |
|
|
|a схемы замещения
|
| 655 |
|
4 |
|a статьи в журналах
|
| 700 |
1 |
|
|a Новиков, Денис Александрович
|
| 773 |
0 |
|
|t Известия высших учебных заведений. Физика
|d 2015
|g Т. 58, № 7. С. 102-109
|x 0021-3411
|w 0026-80960
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|
| 856 |
4 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001147743
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 999 |
|
|
|c 1147743
|d 1147743
|
