Эквивалентная схема гетероструктуры с множественными квантовыми ямами

Эквивалентная схема гетероструктуры с множественными квантовыми ямами

Из рассмотрения физических процессов в гетероструктуре с квантовыми ямами (КЯ) оставлена ее эквивалентная схема, включающая барьерную емкость и дифференциальное сопротивление p–n-перехода, емкость и сопротивление релаксации заряда в КЯ, а также сопротивление поставки свободных носителей заряда в КЯ....

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 7. С. 102-109
Главный автор:	Давыдов, Валерий Николаевич
Другие авторы:	Новиков, Денис Александрович
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	множественные квантовые ямы гетероструктуры эквивалентные схемы схемы замещения статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001147743

Похожие документы

Последовательно-параллельная эквивалентная схема гетероструктуры с квантовыми ямами
по: Давыдов, Валерий Николаевич

Определение элементов эквивалентной схемы гетероструктур с множественными квантовыми ямами
по: Давыдов, Валерий Николаевич

Резистивное профилирование как метод исследования гетероструктур с множественными квантовыми ямами
по: Давыдов, Валерий Николаевич

Фононный спектр LED-гетероструктуры InGaN/GaN с квантовыми ямами
по: Давыдов, Валерий Николаевич

Фотолюминесценция гетероструктур HgCdTe с множественными квантовыми ямами
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Исследование вольт-фарадных характеристик светодиодов с множественными квантовыми ямами GaInP/AlGaInP
по: Бессонов, Дмитрий Владимирович

Влияние различных методов отжига на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Ge/Si с множественными квантовыми ямами

Температурная зависимость квантового выхода структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции

Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках

Спектры фото- и электролюминесценции гетероструктур со множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN
по: Бурмистров, Евгений Романович

Энергетические возможности светодиодной гетероструктуры с квантовыми ямами комбинированного профиля
по: Давыдов, Валерий Николаевич

Свойства наноструктур с квантовыми ямами на основе CdHgTe для фотоники

Генерация терагерцового излучения в светодиодных гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при двухфотонном возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами

Сравнительный анализ зависимостей емкости и фотопроводимости от напряжения в гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN

Анализ энергетического спектра гетероструктур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и InAs/GaAs квантовыми точками по данным емкостной спектроскопии и спектроскопии полной проводимости
по: Кузнецова, А. Н.

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
по: Орлова, К. Н. физик аспирант, ассистент Юргинского технологического института (филиала) Томского политехнического университета 1985-
Публикация: (2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
по: Орлова, К. Н. физик аспирант, ассистент Юргинского технологического института (филиала) Томского политехнического университета 1985-
Публикация: (2013)

Спектры фотолюминесценции структур HgCdTe с множественными квантовыми ямами
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
по: Орлова, К. Н. специалист в области радиационной стойкости полупроводниковых приборов аспирант, ассистент Юргинского технологического института (филиала) Томского политехнического университета 1985-
Публикация: (2013)

Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе Cd{\dn х}Hg{\dn 1-х}Те с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10/
по: Горн, Д. И. Дмитрий Игоревич
Публикация: (2012)

Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013)
по: Каширский, Данила Евгеньевич

Наноструктуры с квантовыми ямами и квантовыми точками - элементная база фотоэлектроники и фотовольтаики
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Пиро- и пьезокоэффициенты структуры множественных квантовых ям
по: Давыдов, Валерий Николаевич

Спад квантовой эффективности в структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
по: Копьев, Виктор Васильевич

Разработка и реализация импульсного способа контактной кондуктометрии с треугольной формой питающего напряжения диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.11.13
по: Кагиров, А. Г. специалист в области экологии и безопасности жизнедеятельности ассистент Томского политехнического университета 1987-
Публикация: (2013)

Разработка и реализация импульсного способа контактной кондуктометрии с треугольной формой питающего напряжения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.11.13
по: Кагиров, А. Г. специалист в области экологии и безопасности жизнедеятельности ассистент Томского политехнического университета 1987-
Публикация: (2013)

Лазерная генерация в структурах КРТ с квантовыми ямами
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Фотоприемный модуль 320x256 на основе многослойных структур с квантовыми ямами

Псевдопотенциальные расчеты и моделирование электронных и дырочных состояний в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
по: Караваев, Геннадий Федорович

Dynamics of vacancy formation and distribution in semiconductor heterostructures: Effect of thermally generated intrinsic electrons

Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
по: Караваев, Геннадий Федорович

Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P

Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P

Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Теоретическая модель описания спектров фотолюминесценции структур КРТ с квантовыми ямами
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Спектральные характеристики гетероструктур для светодиодов на основе твердых растворов
по: Ломов, Евгений Юрьевич

Релятивистские поправки в теории наноструктур
по: Караваев, Геннадий Федорович

Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке