Определение параметров основного колебательного состояния молекулы 28SiH4
Для определения высокоточных значений колебательно-вращательных уровней основного колебательного состояния молекулы SiH₄ выполнен анализ колебательно-вращательного спектра высокого разрешения этой молекулы в диапазоне 600–1200 см⁻¹, где расположены полосы диады v₂/v₄. В результате были получены вращ...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 5. С. 15-20 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001147751 |