| Summary: | Приведены схемотехнические решения, рассмотрены особенности и методика проектирования монолитных интегральных схем (МИС) СВЧ-управляемых цифровых аттенюаторов (ЦАТТ) на основе технологии кремний – германий (SiGe BiCMOS). Представлены результаты экспериментального исследования характеристик разработанной МИС ЦАТТ диапазона 0.1–4.5 ГГц с драйвером параллельного и последовательного управления. Разрядность ЦАТТ 6 бит, глубина регулировки коэффициента передачи (КП) 30 дБ с шагом 1 дБ, входная мощность при спаде КП на 1 дБ – не менее 14 дБм. Достоинствами микросхемы, помимо широкой полосы пропускания, являются хороший уровень согласования на входе и выходе, а также низкий ток потребления. МИС может использоваться в СВЧ-приемопередатчиках различного назначения, в том числе типа «система на кристалле».
|
|---|
