Ионная имплантация в узкозонные твердые растворы CdxHg1-xTe
Представлены результаты экспериментальных исследований процессов радиационного дефектообразования в узкозонных твердых растворах CdₓHg₁₋ₓTe (КРТ) при ионной имплантации. Рассмотрены процессы формирования структурных нарушений кристалла и их влияние на электрофизические свойства ионно-имплантиров...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 61, № 6. С. 3-20 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001148155 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Summary: | Представлены результаты экспериментальных исследований процессов радиационного дефектообразования в узкозонных твердых растворах CdₓHg₁₋ₓTe (КРТ) при ионной имплантации. Рассмотрены процессы формирования структурных нарушений кристалла и их влияние на электрофизические свойства ионно-имплантированных объемных кристаллов и гетероэпитаксиальных структур КРТ р-типа, выращенных методами жидкофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии. Приведены результаты по пространственному распределению в данных материалах внедренных атомов бора, а также радиационных донорных центров в зависимости от массы, дозы и энергии внедряемых ионов, температуры имплантации. Рассмотрены процессы и модели формирования n⁺-n⁻-p-структур при ионной имплантации бора в КРТ р-типа и их экспериментальное доказательство. |
|---|---|
| Bibliography: | Библиогр.: 104 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |