Ионная имплантация в узкозонные твердые растворы CdxHg1-xTe
Представлены результаты экспериментальных исследований процессов радиационного дефектообразования в узкозонных твердых растворах CdₓHg₁₋ₓTe (КРТ) при ионной имплантации. Рассмотрены процессы формирования структурных нарушений кристалла и их влияние на электрофизические свойства ионно-имплантиров...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 61, № 6. С. 3-20 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001148155 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| LEADER | 02990nab a2200337 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | koha001148155 | ||
| 005 | 20241127161130.0 | ||
| 007 | cr | | ||
| 008 | 241120|2018 ru s c rus d | ||
| 035 | |a koha001148155 | ||
| 040 | |a RU-ToGU |b rus |c RU-ToGU | ||
| 100 | 1 | |a Талипов, Нияз Хатимович |9 91702 | |
| 245 | 1 | 0 | |a Ионная имплантация в узкозонные твердые растворы CdxHg1-xTe |c Н. Х. Талипов, А. В. Войцеховский |
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 504 | |a Библиогр.: 104 назв. | ||
| 520 | 3 | |a Представлены результаты экспериментальных исследований процессов радиационного дефектообразования в узкозонных твердых растворах CdₓHg₁₋ₓTe (КРТ) при ионной имплантации. Рассмотрены процессы формирования структурных нарушений кристалла и их влияние на электрофизические свойства ионно-имплантированных объемных кристаллов и гетероэпитаксиальных структур КРТ р-типа, выращенных методами жидкофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии. Приведены результаты по пространственному распределению в данных материалах внедренных атомов бора, а также радиационных донорных центров в зависимости от массы, дозы и энергии внедряемых ионов, температуры имплантации. Рассмотрены процессы и модели формирования n⁺-n⁻-p-структур при ионной имплантации бора в КРТ р-типа и их экспериментальное доказательство. | |
| 653 | |a гетероэпитаксиальные слои | ||
| 653 | |a варизонные структуры | ||
| 653 | |a радиационные дефекты | ||
| 653 | |a ионная имплантация | ||
| 653 | |a фотодиоды | ||
| 655 | 4 | |a статьи в журналах |9 978644 | |
| 700 | 1 | |a Войцеховский, Александр Васильевич |9 64789 | |
| 773 | 0 | |t Известия высших учебных заведений. Физика |d 2018 |g Т. 61, № 6. С. 3-20 |x 0021-3411 |w 0026-80960 | |
| 852 | 4 | |a RU-ToGU | |
| 856 | 4 | |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001148155 | |
| 856 | |y Перейти в каталог НБ ТГУ |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1148155 | ||
| 908 | |a статья | ||
| 039 | |z 106 |b 100 | ||
| 999 | |c 1148155 |d 1148155 | ||