Ионная имплантация в узкозонные твердые растворы CdxHg1-xTe - Талипов, Нияз Хатимович (Известия высших учебных заведений. Физика)
Представлены результаты экспериментальных исследований процессов радиационного дефектообразования в узкозонных твердых растворах CdₓHg₁₋ₓTe (КРТ) при ионной имплантации. Рассмотрены процессы формирования структурных нарушений кристалла и их влияние на электрофизические свойства ионно-имплантированных объемных кристаллов и гетероэпитаксиальных структур КРТ р-типа, выращенных методами жидкофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии. Приведены результаты по пространственному распределению в данных материалах внедренных атомов бора, а также радиационных донорных центров в зависимости от массы, дозы и энергии внедряемых ионов, температуры имплантации. Рассмотрены процессы и модели формирования n⁺-n⁻-p-структур при ионной имплантации бора в КРТ р-типа и их экспериментальное доказательство.