Ионная имплантация в узкозонные твердые растворы CdxHg1-xTe
Представлены результаты экспериментальных исследований процессов радиационного дефектообразования в узкозонных твердых растворах CdₓHg₁₋ₓTe (КРТ) при ионной имплантации. Рассмотрены процессы формирования структурных нарушений кристалла и их влияние на электрофизические свойства ионно-имплантиров...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 61, № 6. С. 3-20 |
|---|---|
| Главный автор: | Талипов, Нияз Хатимович |
| Другие авторы: | Войцеховский, Александр Васильевич |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001148155 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Похожие документы
-
Влияние состава варизонного слоя на формирование n+-n−-p-структур в имплантированных бором гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe
по: Талипов, Нияз Хатимович -
Ion implantation in narrow-gap CdxHg1-xTe solid solutions
по: Talipov, Niyaz Kh -
Влияние воздействия мощного импульсного лазерного ИК-излучения на электрофизические свойства гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1-xТе
по: Талипов, Нияз Хатимович -
Оптимизация технологии формирования многоэлементных матричных ИК-фотоприемников на основе МЛЭ слоев CdxHg1-xТе
по: Талипов, Нияз Хатимович -
Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях CdXHg1-XTe
по: Войцеховский, Александр Васильевич
