| Summary: | Исследован процесс поглощения света свободными электронами в кристаллическом сульфиде кадмия при облучении наносекундным электронным пучком с плотностью тока 8–100 А/см². Наблюдается сверхлинейное увеличение оптического поглощения при переходе от плотности тока пучка ~ 8 к 12 А/см². Характер поглощения света термализованными электронами соответствует рассеянию на дефектах решетки. Увеличение показателя степенной функции поглощения света от длины волны с ростом плотности тока пучка связывается с одно- и двукратной ионизацией доноров и акцепторов. Сделан вывод, что накопление носителей заряда происходит без захвата на ловушки за счет их ударной ионизации вторичными электронами, энергия которых на стадии термализации сравнима с шириной запрещенной зоны кристалла. Рассчитаны сечение захвата электронов дырками при квадратичной рекомбинации ~ 10⁻²⁰ см², коэффициент оже-рекомбинации ~ 10⁻³¹ см6⋅с⁻¹, концентрация носителей составляет соответственно ~ 1.3⋅10¹⁸–1.5⋅10¹⁹ см⁻³.
|
|---|
