Поглощение света свободными носителями заряда в кристаллическом CdS при интенсивном электронном облучении
Исследован процесс поглощения света свободными электронами в кристаллическом сульфиде кадмия при облучении наносекундным электронным пучком с плотностью тока 8-100 А/см². Наблюдается сверхлинейное увеличение оптического поглощения при переходе от плотности тока пучка ~ 8 к 12 А/см². Характер поглощ...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 5. С. 123-127 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001148250 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| LEADER | 03351nab a2200325 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | koha001148250 | ||
| 005 | 20241128122836.0 | ||
| 007 | cr | | ||
| 008 | 241121|2016 ru s c rus d | ||
| 035 | |a koha001148250 | ||
| 040 | |a RU-ToGU |b rus |c RU-ToGU | ||
| 100 | 1 | |a Куликов, Виктор Дмитриевич |9 75317 | |
| 245 | 1 | 0 | |a Поглощение света свободными носителями заряда в кристаллическом CdS при интенсивном электронном облучении |c В. Д. Куликов, В. Ю. Яковлев |
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 504 | |a Библиогр.: 15 назв. | ||
| 520 | 3 | |a Исследован процесс поглощения света свободными электронами в кристаллическом сульфиде кадмия при облучении наносекундным электронным пучком с плотностью тока 8-100 А/см². Наблюдается сверхлинейное увеличение оптического поглощения при переходе от плотности тока пучка ~ 8 к 12 А/см². Характер поглощения света термализованными электронами соответствует рассеянию на дефектах решетки. Увеличение показателя степенной функции поглощения света от длины волны с ростом плотности тока пучка связывается с одно- и двукратной ионизацией доноров и акцепторов. Сделан вывод, что накопление носителей заряда происходит без захвата на ловушки за счет их ударной ионизации вторичными электронами, энергия которых на стадии термализации сравнима с шириной запрещенной зоны кристалла. Рассчитаны сечение захвата электронов дырками при квадратичной рекомбинации ~ 10⁻²⁰ см², коэффициент оже-рекомбинации ~ 10⁻³¹ см6⋅с⁻¹, концентрация носителей составляет соответственно ~ 1.3⋅10¹⁸-1.5⋅10¹⁹ см⁻³. | |
| 653 | |a полупроводники | ||
| 653 | |a поглощение света носителями заряда | ||
| 653 | |a электронные пучки | ||
| 653 | |a дефекты кристаллов | ||
| 655 | 4 | |a статьи в журналах |9 978818 | |
| 700 | 1 | |a Яковлев, Виктор Юрьевич |9 968191 | |
| 773 | 0 | |t Известия высших учебных заведений. Физика |d 2016 |g Т. 59, № 5. С. 123-127 |x 0021-3411 |w 0026-80960 | |
| 852 | 4 | |a RU-ToGU | |
| 856 | 4 | |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001148250 | |
| 856 | |y Перейти в каталог НБ ТГУ |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1148250 | ||
| 908 | |a статья | ||
| 999 | |c 1148250 |d 1148250 | ||
| 039 | |b 100 | ||