|
|
|
|
| LEADER |
03151nab a2200301 c 4500 |
| 001 |
koha001148250 |
| 005 |
20241128122836.0 |
| 007 |
cr | |
| 008 |
241121|2016 ru s c rus d |
| 035 |
|
|
|a koha001148250
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 100 |
1 |
|
|a Куликов, Виктор Дмитриевич
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Поглощение света свободными носителями заряда в кристаллическом CdS при интенсивном электронном облучении
|c В. Д. Куликов, В. Ю. Яковлев
|
| 336 |
|
|
|a Текст
|
| 337 |
|
|
|a электронный
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: 15 назв.
|
| 520 |
3 |
|
|a Исследован процесс поглощения света свободными электронами в кристаллическом сульфиде кадмия при облучении наносекундным электронным пучком с плотностью тока 8–100 А/см². Наблюдается сверхлинейное увеличение оптического поглощения при переходе от плотности тока пучка ~ 8 к 12 А/см². Характер поглощения света термализованными электронами соответствует рассеянию на дефектах решетки. Увеличение показателя степенной функции поглощения света от длины волны с ростом плотности тока пучка связывается с одно- и двукратной ионизацией доноров и акцепторов. Сделан вывод, что накопление носителей заряда происходит без захвата на ловушки за счет их ударной ионизации вторичными электронами, энергия которых на стадии термализации сравнима с шириной запрещенной зоны кристалла. Рассчитаны сечение захвата электронов дырками при квадратичной рекомбинации ~ 10⁻²⁰ см², коэффициент оже-рекомбинации ~ 10⁻³¹ см6⋅с⁻¹, концентрация носителей составляет соответственно ~ 1.3⋅10¹⁸–1.5⋅10¹⁹ см⁻³.
|
| 653 |
|
|
|a полупроводники
|
| 653 |
|
|
|a поглощение света носителями заряда
|
| 653 |
|
|
|a электронные пучки
|
| 653 |
|
|
|a дефекты кристаллов
|
| 655 |
|
4 |
|a статьи в журналах
|
| 700 |
1 |
|
|a Яковлев, Виктор Юрьевич
|
| 773 |
0 |
|
|t Известия высших учебных заведений. Физика
|d 2016
|g Т. 59, № 5. С. 123-127
|x 0021-3411
|w 0026-80960
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|
| 856 |
4 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001148250
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 999 |
|
|
|c 1148250
|d 1148250
|