Поглощение света свободными носителями заряда в кристаллическом CdS при интенсивном электронном облучении

Исследован процесс поглощения света свободными электронами в кристаллическом сульфиде кадмия при облучении наносекундным электронным пучком с плотностью тока 8–100 А/см². Наблюдается сверхлинейное увеличение оптического поглощения при переходе от плотности тока пучка ~ 8 к 12 А/см². Характер поглоще...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 5. С. 123-127
Main Author: Куликов, Виктор Дмитриевич
Other Authors: Яковлев, Виктор Юрьевич
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001148250
LEADER 03151nab a2200301 c 4500
001 koha001148250
005 20241128122836.0
007 cr |
008 241121|2016 ru s c rus d
035 |a koha001148250 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
100 1 |a Куликов, Виктор Дмитриевич 
245 1 0 |a Поглощение света свободными носителями заряда в кристаллическом CdS при интенсивном электронном облучении  |c В. Д. Куликов, В. Ю. Яковлев 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 15 назв. 
520 3 |a Исследован процесс поглощения света свободными электронами в кристаллическом сульфиде кадмия при облучении наносекундным электронным пучком с плотностью тока 8–100 А/см². Наблюдается сверхлинейное увеличение оптического поглощения при переходе от плотности тока пучка ~ 8 к 12 А/см². Характер поглощения света термализованными электронами соответствует рассеянию на дефектах решетки. Увеличение показателя степенной функции поглощения света от длины волны с ростом плотности тока пучка связывается с одно- и двукратной ионизацией доноров и акцепторов. Сделан вывод, что накопление носителей заряда происходит без захвата на ловушки за счет их ударной ионизации вторичными электронами, энергия которых на стадии термализации сравнима с шириной запрещенной зоны кристалла. Рассчитаны сечение захвата электронов дырками при квадратичной рекомбинации ~ 10⁻²⁰ см², коэффициент оже-рекомбинации ~ 10⁻³¹ см6⋅с⁻¹, концентрация носителей составляет соответственно ~ 1.3⋅10¹⁸–1.5⋅10¹⁹ см⁻³. 
653 |a полупроводники 
653 |a поглощение света носителями заряда 
653 |a электронные пучки 
653 |a дефекты кристаллов 
655 4 |a статьи в журналах 
700 1 |a Яковлев, Виктор Юрьевич 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2016  |g Т. 59, № 5. С. 123-127  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001148250 
908 |a статья 
999 |c 1148250  |d 1148250