Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si - Духан, Рахаф М. Х. (Известия высших учебных заведений. Физика)
Рассматриваются инфракрасные фотодетекторы с квантовыми точками германия на кремнии. Рассчитываются некоторые характеристики таких детекторов, а именно: темновой ток и обнаружительная способность в режимах ограничения фоном и генерационно-рекомбинационными шумами. Проводится также сравнение рабочих характеристик инфракрасных детекторов на квантовых точках с детекторами на основе HgCdTe.