Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
Рассматриваются инфракрасные фотодетекторы с квантовыми точками германия на кремнии. Рассчитываются некоторые характеристики таких детекторов, а именно: темновой ток и обнаружительная способность в режимах ограничения фоном и генерационно-рекомбинационными шумами. Проводится также сравнение рабочих...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 61, № 7. С. 8-14 |
|---|---|
| Main Author: | Духан, Рахаф М. Х. |
| Other Authors: | Коханенко, Андрей Павлович, Лозовой, Кирилл Александрович |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001148277 |
Similar Items
- Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации
- Photodetectors and solar cells with GeSi quantum dots parameters dependence on growth conditions
- Темновой ток фотодетекторов на основе многослойных структур с квантовыми точками
- Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники
- Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices
