Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si

Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si

Рассматриваются инфракрасные фотодетекторы с квантовыми точками германия на кремнии. Рассчитываются некоторые характеристики таких детекторов, а именно: темновой ток и обнаружительная способность в режимах ограничения фоном и генерационно-рекомбинационными шумами. Проводится также сравнение рабочих...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 61, № 7. С. 8-14
Главный автор:	Духан, Рахаф М. Х.
Другие авторы:	Коханенко, Андрей Павлович, Лозовой, Кирилл Александрович
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	квантовые точки кремний германий наноструктуры молекулярно-лучевая эпитаксия фотодетекторы темновой ток обнаружительная способность статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001148277

Похожие документы

Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации

Photodetectors and solar cells with GeSi quantum dots parameters dependence on growth conditions

Темновой ток фотодетекторов на основе многослойных структур с квантовыми точками

Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники

Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices

Реконструкция поверхности Ge 2хN на Si(100) в широком температурном диапазоне
по: Кукенов, Олжас Игоревич

Nanostructures with Ge-Si quantum dots for infrared photodetectors

Расчет параметров фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
по: Духан, Рахаф Мохаммедовна

Theoretical and experimental comparison of multilayer Ge/Si photodetectors with quantum dots

The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy

Diffusion limitation of dark current in the nBn structures based on the MBE HgCdTe

GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxy

Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией

Electrical properties of nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates

Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods

Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов

Сверхструктурные изменения на начальных стадиях напыления Ge/Si(100) в широком интервале температур
по: Гнеушев, Анатолий Владимирович

Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges
по: Kokhanenko, Andrey P.

Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy

Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems
по: Lozovoy, Kirill A.

Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Кинетика формирования наногетероструктур с квантовыми точками германия на кремнии для приборов оптоэлектроники диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Лозовой, Кирилл Александрович
Публикация: (2016)

Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников

Dark currents of unipolar barrier structures based on mercury cadmium telluride for long-wave IR detectors

Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Темновые токи униполярных барьерных структур на основе теллурида кадмия и ртути для длинноволновых инфракрасных детекторов

Обобщенная кинетическая модель роста двумерных и нульмерных структур кремния и германия
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Synthesis of epitaxial films based on Ge-Si-Sn materials with Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, and GeSn/GeSiSn heterojunctions

Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
по: Коханенко, Андрей Павлович

К расчету параметров самоорганизующихся наноостровков германия на кремнии
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn

Исследование влияния основных параметров эпитаксиального роста на свойства гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
по: Серохвостов, Вячеслав Юрьевич

Разработка конструкции высокоэффективного преобразователя солнечной энергии на основе полупроводниковых структур Ge/Si с квантовыми точками Ge
по: Пищагин, Антон Александрович

Моделирование поверхностной сегрегации Ge при молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов Ge-Si
по: Ишков, Арман Дмитриевич

Солнечные элементы на основе квантовых структур кремний-германий
по: Кравцова, Наталья Сергеевна

Performance analysis of multilayer Ge/Si photodetector with quantum dots
по: Dukhan, Rahaf M. H.

Построение модели расчета параметров клиновидных квантовых точек германия на кремнии при их выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Кинетика формирования квантовых точек германия на кремнии различной формы с учетом диффузии, сегрегации и влияния напряженных подслоев
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Изменение характера осцилляций картин ДБОЭ в зависимости от температуры при синтезе Si на Si(100)
по: Ворсин, Олег Игоревич