| Summary: | Проведены экспериментальные исследования формирования структуры ступенчатой поверхности при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния на подложке Si(100) в широких интервалах изменения температуры подложки и скорости роста кремния. С помощью дифракции быстрых электронов на отражение определены условия перехода от двухдоменной структуры поверхности Si(100) к однодоменной структуре, связанного с формированием двухатомных ступеней. Показано, что влияние увеличения температуры подложки на переход к однодоменной структуре носит немонотонный характер: в области относительно низких температур происходит формирование однодоменной поверхности, а в области высоких температур – двухдоменной. Переход к однодоменной структуре за время проведения эксперимента возможен лишь при увеличении скорости роста кремния выше некоторого минимального значения.
|
|---|
