|
|
|
|
| LEADER |
03006nab a2200313 c 4500 |
| 001 |
koha001148279 |
| 005 |
20241128121346.0 |
| 007 |
cr | |
| 008 |
241121|2018 ru s c rus d |
| 035 |
|
|
|a koha001148279
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Изучение формирования ступенчатой поверхности Si(100) при молекулярно-лучевой эпитаксии
|c М. Ю. Есин, Ю. Ю. Эрвье, В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров
|
| 336 |
|
|
|a Текст
|
| 337 |
|
|
|a электронный
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: 14 назв.
|
| 520 |
3 |
|
|a Проведены экспериментальные исследования формирования структуры ступенчатой поверхности при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния на подложке Si(100) в широких интервалах изменения температуры подложки и скорости роста кремния. С помощью дифракции быстрых электронов на отражение определены условия перехода от двухдоменной структуры поверхности Si(100) к однодоменной структуре, связанного с формированием двухатомных ступеней. Показано, что влияние увеличения температуры подложки на переход к однодоменной структуре носит немонотонный характер: в области относительно низких температур происходит формирование однодоменной поверхности, а в области высоких температур – двухдоменной. Переход к однодоменной структуре за время проведения эксперимента возможен лишь при увеличении скорости роста кремния выше некоторого минимального значения.
|
| 653 |
|
|
|a дифракция быстрых электронов
|
| 653 |
|
|
|a молекулярно-лучевая эпитаксия
|
| 653 |
|
|
|a элементарные ступени
|
| 655 |
|
4 |
|a статьи в журналах
|
| 700 |
1 |
|
|a Есин, Михаил Юрьевич
|
| 700 |
1 |
|
|a Эрвье, Юрий Юрьевич
|
| 700 |
1 |
|
|a Тимофеев, Вячеслав Алексеевич
|
| 700 |
1 |
|
|a Никифоров, Александр Иванович
|
| 773 |
0 |
|
|t Известия высших учебных заведений. Физика
|d 2018
|g Т. 61, № 7. С. 22-26
|x 0021-3411
|w 0026-80960
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|
| 856 |
4 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001148279
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 999 |
|
|
|c 1148279
|d 1148279
|
