Изучение формирования ступенчатой поверхности Si(100) при молекулярно-лучевой эпитаксии
Проведены экспериментальные исследования формирования структуры ступенчатой поверхности при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния на подложке Si(100) в широких интервалах изменения температуры подложки и скорости роста кремния. С помощью дифракции быстрых электронов на отражение определены условия...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 61, № 7. С. 22-26 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001148279 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| LEADER | 03230nab a2200337 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | koha001148279 | ||
| 005 | 20241128121346.0 | ||
| 007 | cr | | ||
| 008 | 241121|2018 ru s c rus d | ||
| 035 | |a koha001148279 | ||
| 040 | |a RU-ToGU |b rus |c RU-ToGU | ||
| 245 | 1 | 0 | |a Изучение формирования ступенчатой поверхности Si(100) при молекулярно-лучевой эпитаксии |c М. Ю. Есин, Ю. Ю. Эрвье, В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров |
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 504 | |a Библиогр.: 14 назв. | ||
| 520 | 3 | |a Проведены экспериментальные исследования формирования структуры ступенчатой поверхности при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния на подложке Si(100) в широких интервалах изменения температуры подложки и скорости роста кремния. С помощью дифракции быстрых электронов на отражение определены условия перехода от двухдоменной структуры поверхности Si(100) к однодоменной структуре, связанного с формированием двухатомных ступеней. Показано, что влияние увеличения температуры подложки на переход к однодоменной структуре носит немонотонный характер: в области относительно низких температур происходит формирование однодоменной поверхности, а в области высоких температур - двухдоменной. Переход к однодоменной структуре за время проведения эксперимента возможен лишь при увеличении скорости роста кремния выше некоторого минимального значения. | |
| 653 | |a дифракция быстрых электронов | ||
| 653 | |a молекулярно-лучевая эпитаксия | ||
| 653 | |a элементарные ступени | ||
| 655 | 4 | |a статьи в журналах |9 978914 | |
| 700 | 1 | |a Есин, Михаил Юрьевич |9 502075 | |
| 700 | 1 | |a Эрвье, Юрий Юрьевич |9 82636 | |
| 700 | 1 | |a Тимофеев, Вячеслав Алексеевич |9 395169 | |
| 700 | 1 | |a Никифоров, Александр Иванович |9 395171 | |
| 773 | 0 | |t Известия высших учебных заведений. Физика |d 2018 |g Т. 61, № 7. С. 22-26 |x 0021-3411 |w 0026-80960 | |
| 852 | 4 | |a RU-ToGU | |
| 856 | 4 | |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001148279 | |
| 856 | |y Перейти в каталог НБ ТГУ |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1148279 | ||
| 908 | |a статья | ||
| 999 | |c 1148279 |d 1148279 | ||
| 039 | |b 100 | ||