Изучение формирования ступенчатой поверхности Si(100) при молекулярно-лучевой эпитаксии

Проведены экспериментальные исследования формирования структуры ступенчатой поверхности при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния на подложке Si(100) в широких интервалах изменения температуры подложки и скорости роста кремния. С помощью дифракции быстрых электронов на отражение определены условия п...

Полное описание

Библиографическая информация

Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 61, № 7. С. 22-26
Другие авторы:	Есин, Михаил Юрьевич, Эрвье, Юрий Юрьевич, Тимофеев, Вячеслав Алексеевич, Никифоров, Александр Иванович
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	дифракция быстрых электронов молекулярно-лучевая эпитаксия элементарные ступени статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001148279