Изучение формирования ступенчатой поверхности Si(100) при молекулярно-лучевой эпитаксии

Изучение формирования ступенчатой поверхности Si(100) при молекулярно-лучевой эпитаксии

Проведены экспериментальные исследования формирования структуры ступенчатой поверхности при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния на подложке Si(100) в широких интервалах изменения температуры подложки и скорости роста кремния. С помощью дифракции быстрых электронов на отражение определены условия п...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 61, № 7. С. 22-26
Другие авторы:	Есин, Михаил Юрьевич, Эрвье, Юрий Юрьевич, Тимофеев, Вячеслав Алексеевич, Никифоров, Александр Иванович
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	дифракция быстрых электронов молекулярно-лучевая эпитаксия элементарные ступени статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001148279

Похожие документы

Влияние ступенчатой поверхности Si(100) на процесс зарождения островков Ge

Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si(100) и Ge/Si(100)
по: Кукенов, Олжас Игоревич

Картины дифракции структур 1x2 и 2x1 при эпитаксии Si на Si(100)

Сближение ступеней на поверхности Si(100): эксперимент и моделирование

Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов

МЛЭ нанокластеры GE на поверхности Si(100). Картины ДБЭ и АСМ-изображения
по: Торопов, Никита Александрович

Анализ дифракционных картин при эпитаксиальном росте Si на Si(001) в направлениях пучка электронов [110] и [100]

Комплексная система обработки дифракционных картин в ДБЭО

Изменение характера осцилляций картин ДБОЭ в зависимости от температуры при синтезе Si на Si(100)
по: Ворсин, Олег Игоревич

Анализ длины димерного ряда при гетероэпитаксиальном росте Ge/Si(100) методом дифракции быстрых отраженных электронов
по: Кукенов, Олжас Игоревич

Влияние электронного пучка дифракции быстрых электронов на морфологию поверхности гетероструктур CaF2/Si(100)
по: Остертак, Д. И.

Сверхструктурные переходы при синтезе гетероэпитаксиальных пленок Ge/Si, GeSi/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
по: Дирко, Владимир Владиславович
Публикация: (2022)

Peculiarities of the 7 × 7 to 5 × 5 superstructure transition during epitaxial growth of germanium on silicon (111) surface

Investigation of the bimodal character of RHEED intensity oscillations during homoepitaxial growth of Si/Si(100)
по: Sokolov, А. S.

RHEED patterns from 2x1 and 1x2 superstructures during epitaxy of Si on Si(100)
по: Dyukov, I. Y.

Применение метода дифракции быстрых отраженных электронов при молекулярно-лучевой эпитаксии учебно-методическое пособие : для аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов физико-математических факультетов
Публикация: (2023)

Анализ дифракционных картин при синтезе наногетероструктур Ge/Si

Синтез квантовых точек Ge на Si(100) и Si(111) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Дирко, Владимир Владиславович

Controlling of Ge quantum dots arrays parameters in Ge/Si nanoheterostructures grown by molecular beam epitaxy method

Совершенствование технологии синтеза гетероструктур Si/Ge c квантовыми точками Ge методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Пищагин, Антон Александрович

Моделирование параметров транзисторов на основе эпитаксиальных пленок GeSi/Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Кравцова, Наталья Сергеевна

Поверхностные процессы при молекулярно-лучевой эпитаксии нитрида галлия

Электрические и оптические свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах

Особенности получения эпитаксиальных пленок КРТ методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Латтеган, А. Г.

Фазовая диаграмма поверхности GaAs(311)A при молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs
по: Путято, Михаил Альбертович

Автоматизация управления испарителями в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Орликов, Николай Леонидович

Выращивание твердых растворов GaPxAs1-x методом молекулярно-лучевой эпитаксии: механизм формирования состава в подрешетке V группы

Использование формализма матриц рассеяния в расчетах осцилляций зеркального рефлекса в дифракции на отражение при МЛЭ

Influence of the preliminary annealing conditions on step motion at the homoepitaxy on the Si(100) surface

Особенности легирования и комплексообразования при молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs

Использование поверхности (311)B GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии сверхрешеток GaAs/AlAs

Модель поверхностной сегрегации примеси при легировании в системах молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Ишков, Арман Дмитриевич

Замедление преципитации мышьяка в присутствии фосфора в арсениде галлия, выращенном методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре

Влияние условий зарождения пленок GaN на их полярность при молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Хамзин, Т. Х.

Вентильный источник фосфора для молекулярно-лучевой эпитаксии на основе термического разложения InP: конструкция, характеристики, применение

Исследование фотоэлектрических свойств эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Ходкевич, Д. В.

Влияние условий роста на морфологию поверхности эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Удвоения частоты осцилляций зеркального рефлекса картины дифракции быстрых электронов на отражение при молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs
по: Ващенко, В. П.

Разработка ИК-фотоприемников на основе эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Исследования вицинальных поверхностей эпитаксиальных слоев GaAs(001), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре
по: Анисимова, Любовь Леонидовна